Package Information
www.vishay.com
PowerPAIR ? 6 x 5 Case Outline
Vishay Siliconix
0.10 C
D
A
z
b
2X
Pin 8
Pin 7
Pin 6
Pin 5
Pin 5
Pin 6
Pin 7
Pin 8
D1
D1
Pin # 1 ident
Pin 1
Pin 2
Pin 3
Pin 4
2X
0.10 C
Pin 4
Pin 3
Pin 2
Pin 1
(optional)
e
0.10 C
Top s ide view
C
b1
Back s ide view
0.08 C
F
MILLIMETERS
F
INCHES
DIM.
A
A1
A3
b
MIN.
0.70
0.00
0.15
0.43
NOM.
0.75
-
0.20
0.51
MAX.
0.80
0.10
0.25
0.61
MIN.
0.028
0.000
0.006
0.017
NOM.
0.030
-
0.007
0.020
MAX.
0.032
0.004
0.009
0.024
b1
0.25 BSC
0.010 BSC
D
D1
E
E1 Option AA (for W/B)
E1 Option AB (for BWL)
E2
4.90
3.75
5.90
2.62
2.42
0.87
5.00
3.80
6.00
2.67
2.47
0.92
5.10
3.85
6.10
2.72
2.52
0.97
0.192
0.148
0.232
0.103
0.095
0.034
0.196
0.150
0.236
0.105
0.097
0.036
0.200
0.152
0.240
0.107
0.099
0.038
e
K Option AA (for W/B)
K Option AB (for BWL)
K1
1.27 BSC
0.45 typ.
0.65 typ.
0.66 typ.
0.005 BSC
0.018 typ.
0.025 typ.
0.025 typ.
L
0.33
0.43
0.53
0.013
0.017
0.020
L3
z
ECN: T13-0354-Rev. B, 20-May-13
DWG: 6005
Revision: 20-May-13
0.23 BSC
0.34 BSC
1
0.009 BSC
0.013 BSC
Document Number: 63656
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
相关PDF资料
SKY12322-86LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12322-86
SKY12323-303LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY1232-303
SKY12324-73LF-EVB BOARD EVALUATION FOR SKY12324-73
SKY12325-350LF-EVB BOARD EVAL FOR SKY12325-350
SKY12328-350LF-EVB BOARD EVAL FOR SKY12328-350
SKY12339-350LF-EVB BOARD EVAL FOR SKY12339-350
SKY13251-349LF IC SWITCH SP3T GAAS 8QFN
SKY13267-321LF IC SWITCH DIVERS LF-6GHZ 12-QFN
相关代理商/技术参数
SIZ904DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
SIZ904DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 12/16A 20/33W 24/13.5mOhms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIZ910DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
SIZ910DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIZ916DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
SIZ916DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 1.3mOhm@10V 40A N-Ch G-IV RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIZ918DT 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETs
SIZ918DT-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube